• (1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为 .在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 .在四大晶体类型中,GaN属于 晶体.(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 的原子或离子(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 .②SO2分子的空间构型为 .与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 .乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 .④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有 .a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为 .试题及答案-填空题-云返教育

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      (1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为          .在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为          .在四大晶体类型中,GaN属于          晶体.
      (2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有
                的原子或离子
      (3)CuCl
      2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

      ①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是
               
      ②SO
      2分子的空间构型为          .与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为         
      ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为
                .乙二胺和三甲胺[N(CH33]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是         
      ④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有
               
      a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
      ⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为
               

      试题解答


      1s22s22p63s23p63d104s24p1:正四面体:原子:能够接受孤电子对的空轨道:O>N>H:V形:SO42-、SiO44-:sp3杂化:乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键:abd:4
      解:(1)Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,
      故答案为:1s
      22s22p63s23p63d104s24p1;正四面体;原子;
      (2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子,
      故答案为:能够接受孤电子对的空轨道;
      (3)①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强,同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱,可知电负性强弱顺序为O>N>H,
      故答案是:O>N>H;
      ②SO
      2分子中含有2个δ键,孤电子对数=
      6-2×2
      2
      =1,所以分子为V形,SnCl4含有的价层电子数为50,并含有5个原子,与之为电子体的离子有SO42-、SiO44-等,
      故答案为:V形; SO
      42-、SiO44-等;
      ③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键,价层电子对数为4,氮原子为sp
      3杂化,乙二胺分子间可以形成氢键,物质的熔沸点较高,而三甲胺分子间不能形成氢键,熔沸点较低,
      故答案为:sp
      3杂化;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键;
      ④)②中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键,C-C键为非极性键,C-N、N-H、C-H键为极性键,不含离子键,
      故答案为:abd;
      ⑤从CuCl的晶胞可以判断,每个铜原子与4个Cl距离最近且相等,即Cu的配位数为4,根据化学式可知Cl的配位数也为4,
      故答案为:4.

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